Name:FEI Helios NanoLab™ 600 - (Dualbeam)
Category:Morphological, compositional and structural characterization
 
General description
What puts the Helios NanoLab in a class of its own is its ability to offer the highest imaging, contrast, stability and speed performance together with the largest range of SEM / FIB applications. It ensures best resolution, reproducible metrology and best control of the beam for writing purposes.  The outstanding imaging capabilities of the Helios NanoLab start with its novel FESEM technology, featuring resolution in the sub-nanometer at 15kV and better than 1.5nm at 1kV without beam deceleration. Stunning image quality and contrast are achieved, especially when using the new Helios NanoLab through-the-lens detector. Its innovative design allows for superb imaging in SE and BSE modes over the entire energy range. When imaging is used for metrology purposes, Helios NanoLab introduces a significant breakthrough with its electron beam electrostatic scanning, which allows for pioneering accuracy performance.
A new level for NanoWork
While pushing the limits of 2D and 3D nanocharacterization, through integrated Slice and View™ tomography or FEI’s automated 3D EBSD collection package called EBS3™, Helios NanoLab also delivers the most advanced integrated solutions for nanoprototyping. Its 16-bit digital patterning engine teams up with FEI-developed FIB milling protocols, which are readily available from the user-friendly software interface. A wide range of patterning strategies are available to optimize electron and ion beam writing and processes; including FEI’s proprietary gas injection processes to deposit the largest number of different materials in 3D. For electron beam lithography, Helios NanoLab rewrites the rules with its novel high-speed and linear electro-static scanning coupled to a new, fast, integrated beam blanker. Helios NanoLab excels in preparing the highest quality samples. Using FEI’s AutoTEM™ G² software, thin samples can be prepared rapidly and automatically, with high reliability and extreme ease of use.
 
A cosa serve:
Il focused ion-beam (FIB) nasce nel campo dell’industria dei semiconduttori nei primi anni ’90 con il compito di verificare la corretta crescita dei wafer di silicio tramite un’analisi non eccessivamente intrusiva e distruttiva.
Nell’ambito dell’analisi superficiale e compositiva il FIB rientra a tutti gli effetti nella famiglia della microscopia elettronica a scansione: il sistema utilizza un fascio di ioni opportunamente focalizzato al fine di visualizzare, tagliare (milling) o deporre, in funzione della corrente applicata, particolari materiali.
Il SEM con sorgente a emissione di campo (FEG) combinato con un fascio ionico focalizzato sta ora diventando uno strumento indispensabile nella scienza dei materiali per le sue innumerevoli potenzialità. La possibilità di utilizzare entrambe i fasci e di variare i detector (per emissione di elettroni secondari, back-scattered, x-ray, ecc.) permette di avere uno strumento completo con alte potenzialità e applicazioni in microscopia, analisi, milling e deposizione su campioni e superfici sia conduttive sia dielettriche.
La possibilità inoltre di preparare lamelle TEM in cross section con spessore nanometrico, costante e in breve tempo, consente l’analisi di campioni fin’ora di difficile preparazione e privi di artefatti.
Come funziona:
Il sistema utilizza un fascio di ioni opportunamente focalizzato al fine di visualizzare, tagliare (milling) o deporre, in funzione della corrente applicata, particolari materiali.

Il SEM con sorgente a emissione di campo (FEG) combinato con un fascio ionico focalizzato sta ora diventando uno strumento indispensabile nella scienza dei materiali per le sue innumerevoli potenzialità. La possibilità di utilizzare entrambe i fasci e di variare i detector (per emissione di elettroni secondari, back-scattered, x-ray, ecc.) permette di avere uno strumento completo con alte potenzialità e applicazioni in microscopia, analisi, milling e deposizione su campioni e superfici sia conduttive sia dielettriche.
La possibilità inoltre di preparare lamelle TEM in cross section con spessore nanometrico, costante e in breve tempo, consente l’analisi di campioni fin’ora di difficile preparazione e privi di artefatti.

Per cosa si usa:
Realizzazione di cross section perfettamente localizzate nel punto di interesse del campione ed imaging con fascio elettronico e/o ionico.
Preparazione di lamelle TEM
Patterning per la realizzazione di dispositivi MEMS e NEMS
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