Il focused ion-beam (FIB) nasce nel campo dell’industria dei semiconduttori nei primi anni ’90 con il compito di verificare la corretta crescita dei wafer di silicio tramite un’analisi non eccessivamente intrusiva e distruttiva.
Nell’ambito dell’analisi superficiale e compositiva il FIB rientra a tutti gli effetti nella famiglia della microscopia elettronica a scansione: il sistema utilizza un fascio di ioni opportunamente focalizzato al fine di visualizzare, tagliare (milling) o deporre, in funzione della corrente applicata, particolari materiali.
Il SEM con sorgente a emissione di campo (FEG) combinato con un fascio ionico focalizzato sta ora diventando uno strumento indispensabile nella scienza dei materiali per le sue innumerevoli potenzialità. La possibilità di utilizzare entrambe i fasci e di variare i detector (per emissione di elettroni secondari, back-scattered, x-ray, ecc.) permette di avere uno strumento completo con alte potenzialità e applicazioni in microscopia, analisi, milling e deposizione su campioni e superfici sia conduttive sia dielettriche. La possibilità inoltre di preparare lamelle TEM in cross section con spessore nanometrico, costante e in breve tempo, consente l’analisi di campioni fin’ora di difficile preparazione e privi di artefatti. |